NTH4L023N065M3S

Name: onsemi NTH4L023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L023N065M3S
Price: 92.01 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTH4L023N065M3S

制造商编号：

NTH4L023N065M3S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S

数据表:

NTH4L023N065M3S 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	33 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22.6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	69 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	245 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	9.6 ns
封装:	Tube
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	15 ns
系列:	NTH4L023N065M3S
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	35 ns
典型接通延迟时间:	11 ns

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数据表

NTH4L023N065M3S 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-21 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

储能解决方案

onsemi储能系统（ESS）以不同的形式储存来自煤炭、核能、风能和太阳能等各种能源的电力，包括电池（电化学）、压缩空气（机械）和熔盐（热能）。该解决方案的重点是与太阳能逆变器系统相连的蓄电池储能系统。

NTH4L023N065M3S SiC MOSFET

安森美 NTH4L023N065M3S碳化硅MOSFET具有650V额定阻断电压、153pF输出电容，采用带开尔文源配置的TO-247-4L封装。该MOSFET设计用于快速开关应用，特别采用了平面技术，能可靠地处理栅极上的负栅极电压驱动和关断尖峰。NTH4L023N065M3S MOSFET由18V栅极驱动驱动时提供最佳的性能，由15V栅极驱动驱动时也能工作得很好。安森美NTH4L023N065M3S碳化硅MOSFET非常适合用于电动汽车充电器、AI数据中心和太阳能应用。