NTH4L023N065M3S

onsemi
863-NTH4L023N065M3S
NTH4L023N065M3S

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 573

库存：
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20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥95.7901 ¥95.79
¥66.5005 ¥665.01
¥63.28 ¥6,328.00
¥53.1891 ¥23,935.10
¥52.6919 ¥47,422.71

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
40 A
33 mOhms
- 8 V, + 22 V
4 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
245 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 9.6 ns
封装: Tube
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 15 ns
系列: NTH4L023N065M3S
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTH4L023N065M3S SiC MOSFET

安森美  NTH4L023N065M3S碳化硅MOSFET具有650V额定阻断电压、153pF输出电容，采用带开尔文源配置的TO-247-4L封装。该MOSFET设计用于快速开关应用，特别采用了平面技术，能可靠地处理栅极上的负栅极电压驱动和关断尖峰。NTH4L023N065M3S MOSFET由18V栅极驱动驱动时提供最佳的性能，由15V栅极驱动驱动时也能工作得很好。安森美NTH4L023N065M3S碳化硅MOSFET非常适合用于电动汽车充电器、AI数据中心和太阳能应用。

储能解决方案

onsemi储能系统（ESS）以不同的形式储存来自煤炭、核能、风能和太阳能等各种能源的电力，包括电池（电化学）、压缩空气（机械）和熔盐（热能）。该解决方案的重点是与太阳能逆变器系统相连的蓄电池储能系统。

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