650V SiC肖特基二极管

安森美 (onsemi) 650V碳化硅 (SiC) 肖特基二极管与硅器件相比,具有出色的开关性能和更高的可靠性。这些碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流,并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势:提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

结果: 61
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 配置 If - 正向电流 Vrrm - 重复反向电压 Vf - 正向电压 Ifsm - 正向浪涌电流 Ir - 反向电流 最小工作温度 最大工作温度 系列 资格 封装

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 20A SIC SBD 26库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.38 V 42 A 40 uA - 55 C + 175 C FFSH2065BDN_F085 AEC-Q101 Tube

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 40A SIC SBD 35库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 650 V 1.5 V 105 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSH4065ADN-F155 Tube

onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 50A SIC SBD 138库存量
450预期 2026/6/22
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 650 V 1.51 V 230 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSH5065A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 576库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 650 V 1.38 V 189 A 40 uA - 55 C + 175 C FFSH5065B-F085 Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC TO220 SBD 6A 650V 827库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 42 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP0665A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE TO220 650V 866库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.38 V 28 A 40 uA - 55 C + 175 C FFSP0665B Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE 650V 10A 837库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.38 V 45 A 40 uA - 55 C + 175 C FFSP1065B Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 16A SIC SBD 143库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP1665A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC TO220 SBD 20A 650V 407库存量
800预期 2026/7/10
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 650 V 1.5 V 105 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP2065A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE 650V 20A 665库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 650 V 1.38 V 84 A 40 uA - 55 C + 175 C FFSP2065B Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 Auto SiC Schottky Diode, 650 V 230库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.38 V 45 A 500 nA - 55 C + 175 C FFSP1065B-F085 AEC-Q101 Tube