SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC沟槽型7引脚MOSFET

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC沟槽型7引脚MOSFET采用专有的沟槽式栅极结构,与平面型SiC MOSFET相比,导通电阻降低50%,输入电容降低35%。MOSFET包含一个额外的引脚,可分离驱动器和电源引脚,消除电感元件在减少Vgs方面的影响,确保更快的开关速度。ROHM Semiconductor沟槽型MOSFET具有高电压电阻、低导通电阻、快速开关速度、易于驱动和易于并联等特性。

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 650V 70A N-CH SIC 978库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 120m 3rd Gen TO-263-7L 2,773库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 40m 3rd Gen TO-263-7L 500库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-263-7L 1,757库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L 766库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 23 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-263-7L 855库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 1.2KV 30A N-CH SIC 399库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L 1,926库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement