STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET设计用于中/高压MOSFET,具有非常低的单位面积RDS(on),联接有快速恢复二极管。该器件采用了创新的超结MDmesh DM9技术,提供一种多漏极制造工艺,从而可以增强器件结构。

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET 931库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET 244库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 600 V 39 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET 236库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 44 mOhms 30 V 4.2 V 110 nC - 55 C + 150 C 166 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET 1,142库存量
1,000预期 2026/3/9
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET 82库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube