CGHV59070F

Name: MACOM CGHV59070F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV59070F
Price: 6166.86 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

941-CGHV59070F

制造商编号：

CGHV59070F

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt

数据表:

CGHV59070F 数据表 (PDF)

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	¥6,126.5323	¥61,265.32

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	440224
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	6.3 A
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
商标:	MACOM
增益:	14 dB
最大工作频率:	5.9 GHz
最小工作频率:	4.4 GHz
输出功率:	76 W
封装:	Tray
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	25
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 10 V, 2 V
单位重量:	7.797 g

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JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CGHV59070 70W 射频功率 GaN HEMT

Wolfspeed CGHV59070 射频功率 GaN（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管）为各种射频和微波应用提供一种通用的宽带解决方案。 CGHV59070 由 50V 电源轨供电，具有高效率、高增益和宽带宽等特征。这款 70W 内部匹配 GaN HEMT 非常适合用于线性和压缩放大器电路。该晶体管目前采用 440224 封装。
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