NVMYS4D5N04CTWG

onsemi
863-NVMYS4D5N04CTWG
NVMYS4D5N04CTWG

制造商：

说明：
MOSFET T6 40V SL LFPAK

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
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库存量: 2,939

库存：
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50 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥14.8934 ¥14.89
¥9.4242 ¥94.24
¥6.3054 ¥630.54
¥4.972 ¥2,486.00
¥4.5426 ¥4,542.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥3.9211 ¥11,763.30

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
55 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 57 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 80 ns
系列: NVMYS4D5N04C
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMYS4D5N04C单N沟道功率MOSFET

安森美半导体  NVMYS4D5N04C单N沟道功率MOSFET设计用于汽车应用，采用5mm x 6mm LFPAK封装。安森美半导体  NVMYS4D5N04C有助于实现紧凑高效的设计，同时确保较高的散热性能。这些MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，适用于需要增强板级可靠性的汽车应用。

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