MOSFET – Mouser

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StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low R_DS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability.

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	MOSFET IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1 IRFP4310ZPBFXKMA1 Infineon Technologies 受限供货情况	制造商零件编号 IRFP4310ZPBFXKMA1 Mouser 零件编号 726-IRFP4310ZPBFXKMA	Infineon Technologies	MOSFET IR FET >60-400V 了解更多关于Infineon Technologies infineon 100v 150v strongirfet power mosfets 的信息	数据表	更多信息可用		受限供货情况			Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	6 mOhms	- 20 V, 20 V	4 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	280 W	Enhancement			Tube
	MOSFET IR FET UP TO 60V Infineon Technologies IRFP3006PBFXKMA1 IRFP3006PBFXKMA1 Infineon Technologies 受限供货情况	制造商零件编号 IRFP3006PBFXKMA1 Mouser 零件编号 726-IRFP3006PBFXKMA1	Infineon Technologies	MOSFET IR FET UP TO 60V 了解更多关于Infineon Technologies ir strongirfet 的信息	数据表			受限供货情况			Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel	60 V	195 A	2.5 mOhms	- 20 V, 20 V	4 V	200 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement			Tube

StrongIRFET™ Power MOSFETs

昴氏(上海)电子贸易有限公司

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支持

11 A
40 A
51 A
59 A
79 A
95 A
120 A
121 A
171 A
180 A
186 A
195 A
203 A
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282 A
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300 A

1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.28 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.85 mOhms
1.9 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
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4.6 mOhms
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4.9 mOhms
5.9 mOhms
6 mOhms
7.1 mOhms

12 nC
17 nC
26 nC
29 nC
41 nC
66.7 nC
69 nC
72 nC
75 nC
80 nC
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200 nC
225 nC

3.6 W
18 W
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75 W
94 W
96 W
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125 W
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180 W
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250 W
280 W
341 W
370 W
375 W
380 W
517 W
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556 W