碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

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结果: 43
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晶体管极性
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
数据表
12库存量
600预期 2027/4/12
最低： 1
倍数： 1
: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
数据表
551库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
数据表
1,597库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
数据表
2,311库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
数据表
509库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
数据表
156库存量
600预期 2027/3/22
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
数据表
952库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
数据表
590库存量
600预期 2026/8/10
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
数据表
1,754库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
数据表
465库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
数据表
362库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
数据表
332库存量
1,200预期 2026/8/31
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
数据表
433库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
数据表
301库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
数据表
382库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
数据表
505库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
数据表
527库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
数据表
481库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
数据表
1,083库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
数据表
308库存量
1,200预期 2026/8/10
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
数据表
49库存量
1,000预期 2026/8/17
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
数据表
139库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
数据表
121库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
数据表
79库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
数据表
873库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT N-Channel