碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

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STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
数据表
85库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
数据表
73库存量
1,200预期 2026/3/16
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
数据表
618库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
数据表
510库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
数据表
1,597库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
数据表
593库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
数据表
90库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
数据表
600预期 2026/7/27
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
数据表
1,200在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
数据表
996预期 2026/4/22
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
数据表
1,113预期 2026/3/10
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
数据表
844预期 2026/11/23
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
数据表
100在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
数据表
无库存交货期 17 周
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
数据表
更多信息可用

SiC MOSFETS
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
数据表

SiC MOSFETS
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
数据表

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
数据表

SiC MOSFETS