碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

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晶体管极性
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
数据表
398库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
数据表
2,493库存量
3,000预期 2026/6/18
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
数据表
3库存量
1,200在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
数据表
8库存量
1,800预期 2026/7/13
最低： 1
倍数： 1
: 1,800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
数据表
16库存量
600预期 2026/7/24
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
数据表
1,997预期 2026/10/12
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
数据表
600预期 2026/6/15
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
数据表
400预期 2026/8/31
最低： 1
倍数： 1
: 600

SiC MOSFETS


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
数据表
996预期 2026/9/7
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
数据表
1,200在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
数据表
1,199预期 2026/7/2
最低： 1
倍数： 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
数据表
2,394预期 2027/6/25
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
数据表
100在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
数据表

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
数据表

SiC MOSFETS
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
数据表

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
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SiC MOSFETS