SICWx碳化硅(SiC)MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) SICWx碳化硅(SiC) MOSFET是高速开关650V SiC MOSFET。这些MOSFET采用SiC MOSFET技术,非常适合用于高压应用,可在恶劣的工业环境中可靠运行。SICWx MOSFET设计具有低RDS(on) 和低栅极电荷,可降低开关损耗并有助于提高整体系统效率。效率提升设计和TO-247封装提供卓越的散热性能,而3引脚或4引脚(开尔文源极引脚)选项则增强了多功能性。SICWx MOSFET设计坚固,耐雪崩,可实现更好的热管理和效率。这些MOSFET非常适合用于电源、电信、可再生能源系统和电机驱动器。

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
Micro Commercial Components (MCC) 碳化硅MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB 177库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) 碳化硅MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4 360库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) 碳化硅MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB 336库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) 碳化硅MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4 355库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) 碳化硅MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB 337库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) 碳化硅MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4 360库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement