NVH4L015N065SC1

onsemi
863-NVH4L015N065SC1
NVH4L015N065SC1

制造商:

说明:
碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-4L

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库存量: 384

库存:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
TO-247-4
EliteSiC
商标: onsemi
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
系列: NVH4L015N065SC1
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M2 EliteSiC MOSFET

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电动汽车充电、能量储存、不间断电力系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑,逆变器和BLDC的工作循环多达六个开关。根据功率等级和开关速度,系统设计人员需要采用各种开关技术,包括硅、IGBT和SiC,以满足最佳应用要求。

NVH4L015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美 (onsemi) NVH4L015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET 与硅器件相比,具有出色的开关性能和更高的可靠性。安森美 (onsemi) NVH4L015N065SC1具有低导通电阻,紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。系统优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。