HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 720
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装

IXYS MOSFET 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
300预期 2026/3/19
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 78 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds
数据表
600预期 2026/6/29
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 107 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds
数据表
300预期 2026/8/24
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 300V 150A N-CH X3CLASS
数据表
300预期 2026/4/3
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 254 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
数据表
298预期 2026/3/25
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 170 V 220 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 500 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
数据表
258预期 2026/2/25
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 240 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 460 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
数据表
300预期 2026/4/15
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 360 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 715 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
数据表
300预期 2026/5/12
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 94 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
数据表
650预期 2026/6/22
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 92 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 360Amps 55V
数据表
690在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
数据表
300预期 2026/2/23
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 130 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
数据表
80预期 2026/2/23
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id14 BVdass800
数据表
240预期 2026/4/10
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 720 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 150A N-CH X3CLASS
数据表
89预期 2026/4/3
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 254 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 22A
数据表
300预期 2026/4/10
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 22 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 500V 14A N-CH POLAR3
数据表
28预期 2026/11/10
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 295 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 360Amps 55V
数据表
196预期 2026/8/19
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 300 Amps 40V
数据表
300预期 2026/3/27
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 145 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 36A
数据表
无库存交货期 37 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 19 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 50A N-CH X3CLASS
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 102 Amps 150V
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 102 A HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 10A
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 800
倍数： 800
卷轴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 740 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Reel
IXYS MOSFET 650V/12A TO-263
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 130 Amps 100V
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 9.1 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 850V 14A N-CH HIPER
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube