HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 724
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 1.13 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120A 300V
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 140 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 255 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 160A 300V
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 160 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 335 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 170 Amps 200V 0.014 Rds
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 170 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 170A 200V
数据表
交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 170 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 175 C 1.15 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
数据表
无库存交货期 35 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 25
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 180 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 20 Amps 1200V 1 Rds
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 193 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 220Amps 150V
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 220 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 162 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
数据表
无库存交货期 33 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 170 V 220 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 500 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 24 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 105 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 26 Amps 1000V
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 20 A 390 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds
数据表
无库存交货期 25 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 27 A 320 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 170 V 320 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 640 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC + 150 C 1 kW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 36A
数据表
无库存交货期 25 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-264(3)
数据表
无库存交货期 35 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 365 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 44 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 185 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 48A
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 135 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 1 kW HiPerFET Tube