HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 720
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
IXYS MOSFET 7 Amps 1000V
数据表
1,345库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 300 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
数据表
515库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds
数据表
324库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
数据表
194库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
数据表
510库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 140 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 300V 26A N-CH X3CLASS
数据表
1,959库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 62A N-CH X2CLASS
数据表
206库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 100 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
数据表
251库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS
数据表
213库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
142库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 132 A 39 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 250 nC - 55 C + 150 C 1.89 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
数据表
264库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 660 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
数据表
889库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 107 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
数据表
265库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 300 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 80A
数据表
406库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
数据表
261库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 420 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 670 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 200V 36A N-CH X3CLASS
数据表
1,798库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 200 V 36 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 56A N-CH X3CLASS
数据表
794库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
数据表
1,067库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
数据表
209库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 70 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 240 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
326库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 900 V 24 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 26A TO-268HV Power MOSFET
数据表
140库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
288库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 96 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 80A
数据表
298库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
数据表
512库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube

IXYS MOSFET TO264 650V 120A N-CH X2CLASS
数据表
410库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube