HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 724
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
IXYS MOSFET TO252 850V 4A N-CH XCLASS
数据表
无库存交货期 35 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 500 V 5 A 1.65 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET IXTA102N15T TRL
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 800
倍数： 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 102 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 87 nC - 55 C + 175 C 455 W Enhancement HiPerFET Reel
IXYS MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 7 mOhms - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 40V
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 175 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 75V
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 78 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 130 Amps 65V
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 65 V 130 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 79 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 N-CH 55V 140A
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 55 V 140 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 82 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 120V 140A N-CH TRENCH
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 120 V 140 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 174 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 7 mOhms - 55 C + 175 C 430 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 7 mOhms - 55 C + 175 C 430 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 170 Amps 75V
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 75 V 170 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 N-CH 55V 200A
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/9A Power MOSFET
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO263 650V 20A N-CH X3CLASS
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 N-CH 75V 230A
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 650V 24A N-CH X2CLASS
数据表
无库存交货期 21 周
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 N-CH 55V 260A
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 55 V 260 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 260 Amps 55V
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 50
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 55 V 260 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 140 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube