HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 724
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装

IXYS MOSFET PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS
数据表
232库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
数据表
244库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 200 V 300 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
267库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
150库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 78 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 147 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
数据表
268库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube

IXYS MOSFET 500V 16A
数据表
2,809库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
数据表
268库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 500 V 34 A 180 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
数据表
391库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 76 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 75 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds
数据表
2,207库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 72A N-CH X3CLASS
数据表
221库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds
数据表
295库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 240 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 300V 150A N-CH X3CLASS
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 254 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
数据表
252库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 7 Amps 1000V
数据表
743库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 300 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
数据表
515库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds
数据表
324库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET
数据表
256库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
数据表
507库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 140 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS
数据表
286库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 62A N-CH X2CLASS
数据表
204库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 100 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS
数据表
213库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
数据表
634库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
数据表
340库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
数据表
1,251库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
数据表
261库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 24 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube