6 GHz 半导体

结果: 47
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MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt 680库存量
最低: 10
倍数: 10

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz 375库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM PIN 二极管 10MHz-6GHz 2.5W Peak -65C +125C 1,704库存量
90,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged 53库存量
最低: 1
倍数: 1


Skyworks Solutions, Inc. PIN 二极管 PIN DIODE, SOD-882 3,262库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless 15库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt 10库存量
最低: 10
倍数: 10

Qorvo GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz, Flanged 90库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50

MACOM GaN 场效应晶体管 Transistor, DC-8.0GHz, 25W, G28V5 50库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 Transistor, DC-6.0GHz, 35W, G28V5 50库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C 50库存量
最低: 10
倍数: 10
Qorvo GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz 45库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50

Skyworks Solutions, Inc. PIN 二极管 .3pF -40C +150C Thrshld Lvl +10 dBm 287,521库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Skyworks Solutions, Inc. PIN 二极管 .35pF -40C +150C Thrshld Lvl +20 dBm 86,659库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MACOM GaN 场效应晶体管 Transistor, DC - 6 GHz, 8W, G28V5-1C 5库存量
1,000预期 2026/6/24
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN 123库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt 496库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt 2,660库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 280库存量
160预期 2026/8/14
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt 75库存量
最低: 1
倍数: 1

Skyworks Solutions, Inc. PIN 二极管 .6pF -40C +150C Thrshld Lvl +38 dBm 29,932库存量
33,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MACOM GaN 场效应晶体管 10W, 6.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40010P) 86库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 35W GaN HEMT 24V 4GHz Flange 46库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 38库存量
600在途量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt 66库存量
最低: 1
倍数: 1