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Texas Instruments 差分放大器 DIE SALE Rail In RRO Diff Amp 648库存量
最低: 324
倍数: 324

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 90库存量
最低: 10
倍数: 10


MACOM RF 开关 IC 50MHz-20GHz IL 1.2dB @20GHz 2,350库存量
最低: 50
倍数: 50

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt 680库存量
最低: 10
倍数: 10


Texas Instruments 跨阻抗放大器 Programmable-gain di fferential-output h 2,784库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Vishay / BC Components NTC热敏电阻 NTC BARE DIE AG2 5K 1% TAPE E4 500库存量
最低: 50
倍数: 50

Qorvo 射频混频器 24-34 GHz IRM DIE 100库存量
最低: 50
倍数: 50

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 100库存量
最低: 10
倍数: 10

Vishay / BC Components NTC热敏电阻 4.7Kohm 1% 3435K 1% Silver Term 4,822库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Qorvo 衰减器 DC-30 GHz 2-bit Digital Attenuator 100库存量
最低: 100
倍数: 100

MACOM MA4SW310B-1
MACOM RF 开关 IC 2-18GHz ISO 40dB IL 1.3dB @ 18GHz 50库存量
最低: 50
倍数: 50

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt 10库存量
最低: 10
倍数: 10

Vishay / BC Components NTC热敏电阻 NTC BARE DIE AG2 20K 1% TAPE E4 100库存量
最低: 50
倍数: 50


CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30库存量
最低: 10
倍数: 10

pSemi 衰减器 50ohm 6 Bit 31.5dB 0.5dB, 1.0dB Digital Step Attenuator, optional ext. Vss 191库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices 50库存量
最低: 10
倍数: 10
: 10
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices 100库存量
最低: 10
倍数: 10

Vishay / BC Components NTC热敏电阻 NTC BARE DIE AG2 4.7K 1% TAPE E4 150库存量
最低: 50
倍数: 50

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 100库存量
最低: 10
倍数: 10

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 100库存量
最低: 10
倍数: 10

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt 60库存量
最低: 10
倍数: 10

CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 3库存量
最低: 1
倍数: 1
: 10
EPC GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1,926库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 800库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Texas Instruments OPA855YR
Texas Instruments 运算放大器 - 运放 8 GHz Gain Bandwidth Product Decompensa 2,975库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 25
: 3,000