RF Power MOSFET 半导体

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数量 RoHS
STMicroelectronics RF5L1214750CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

STMicroelectronics RF5L15030CB2
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 180
倍数： 180
: 180

STMicroelectronics SD2931-15W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PTD NEW MAT & PWR SOLUTION 无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics SD2933-03W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

STMicroelectronics STAC1011-500
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MP075N-54M
数据表
无库存交货期 53 周
最低： 1
倍数： 1
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS004-200M
数据表
无库存交货期 53 周
最低： 1
倍数： 1
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S006N-1000M
数据表
无库存交货期 53 周
最低： 1
倍数： 1
MACOM MRF154
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,<80MHz,50V,600W
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 10
倍数： 10

MACOM PTFA220041M-V4-R1K
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN 无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000
MACOM PTFB241402FC-V1-R250
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250
MACOM PTFB241402FC-V1-R0
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50
STMicroelectronics RF3L05200CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100
: 100

STMicroelectronics RF3L05400CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100
: 100

STMicroelectronics RF5L08600CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H
数据表
无库存交货期 53 周
最低： 1
倍数： 1
: 50

MACOM MRF175LU
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB
数据表
无库存交货期 28 周

ZiLOG 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

CEL NE5550979A-EV04-A
CEL 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
数据表
N/A
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 120

STMicroelectronics SD2931-12MR
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIS
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

CML Micro MWT-11F
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit
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