|
|
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA75R008M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥323.5868
-
240预期 2026/7/2
-
NRND
|
Mouser 零件编号
726-IMZA75R008M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
240预期 2026/7/2
|
|
|
¥323.5868
|
|
|
¥232.6783
|
|
|
¥219.6946
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET 750V G2
- AIMBG75R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥152.5274
-
50预期 2026/7/7
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-AIMBG75R020M2HXT
新产品
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET 750V G2
|
|
50预期 2026/7/7
|
|
|
¥152.5274
|
|
|
¥116.2205
|
|
|
¥96.7732
|
|
|
¥86.2755
|
|
|
¥73.2014
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
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|
|
碳化硅肖特基二极管 SIC DISCRETE
- IDH05G120C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥33.5836
-
1,000预期 2027/2/25
|
Mouser 零件编号
726-IDH05G120C5XKSA1
|
Infineon Technologies
|
碳化硅肖特基二极管 SIC DISCRETE
|
|
1,000预期 2027/2/25
|
|
|
¥33.5836
|
|
|
¥22.0011
|
|
|
¥16.3737
|
|
|
¥13.7295
|
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|
¥12.7351
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅肖特基二极管 SIC CHIP/DISCRETE
- IDH08G120C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥37.3917
-
980在途量
|
Mouser 零件编号
726-IDH08G120C5XKSA1
|
Infineon Technologies
|
碳化硅肖特基二极管 SIC CHIP/DISCRETE
|
|
980在途量
在途量:
480 预期 2026/7/2
500 预期 2026/7/9
|
|
|
¥37.3917
|
|
|
¥24.4871
|
|
|
¥18.2834
|
|
|
¥15.3002
|
|
|
¥14.1476
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
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|
|
碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
- IMDQ75R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥152.4483
-
50在途量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IMDQ75R020M2HXTM
新产品
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
|
|
50在途量
|
|
|
¥152.4483
|
|
|
¥116.1301
|
|
|
¥96.6941
|
|
|
¥86.1851
|
|
|
¥73.2014
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
750
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
- IMZA120R078M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥79.9814
-
240预期 2026/8/6
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IMZA120R078M2HXK
新产品
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
|
|
240预期 2026/8/6
|
|
|
¥79.9814
|
|
|
¥50.8726
|
|
|
¥39.6178
|
|
|
¥37.0527
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
- IDH04G65C6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥23.6622
-
1,000在途量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
726-IDH04G65C6XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
|
|
1,000在途量
|
|
|
¥23.6622
|
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|
¥12.7351
|
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|
¥10.4186
|
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|
¥8.5202
|
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查看
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¥7.8309
|
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|
¥7.2659
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
- AIMBG75R016M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥183.7154
-
交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMBG75R016M1HXT
|
Infineon Technologies
|
MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
|
|
交货期 52 周
|
|
|
¥183.7154
|
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|
¥131.5207
|
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|
¥117.3731
|
|
|
¥114.3108
|
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|
¥106.9545
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
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|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZH120R080M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥79.9814
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZH120R080M1TX
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥79.9814
|
|
|
¥47.3131
|
|
|
¥40.0359
|
|
|
¥39.9568
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZHN120R010M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥283.8786
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZHN120R010M1T
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥283.8786
|
|
|
¥231.6839
|
|
|
¥206.0442
|
|
|
¥193.8063
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZHN120R030M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥138.6284
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZHN120R030M1T
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥138.6284
|
|
|
¥116.4691
|
|
|
¥88.9197
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZHN120R060M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥110.175
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZHN120R060M1T
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥110.175
|
|
|
¥74.4444
|
|
|
¥58.3193
|
|
|
¥52.771
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZHN120R120M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥59.0538
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZHN120R120M1T
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥59.0538
|
|
|
¥46.8159
|
|
|
¥37.3917
|
|
|
¥33.6627
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZHN120R160M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥78.8288
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZHN120R160M1T
|
Infineon Technologies
|
MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥78.8288
|
|
|
¥49.6296
|
|
|
¥36.9736
|
|
|
¥32.8378
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
分立半导体模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥5,352.8778
-
无库存交货期 14 周
|
Mouser 零件编号
726-FF1MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
分立半导体模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
无库存交货期 14 周
|
|
|
¥5,352.8778
|
|
|
¥4,082.0346
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
分立半导体模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
- FF4MR20KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥4,926.4045
-
无库存交货期 14 周
|
Mouser 零件编号
726-FF4MR20KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
分立半导体模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
|
|
无库存交货期 14 周
|
|
|
¥4,926.4045
|
|
|
¥3,756.798
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅肖特基二极管 SIC DISCRETE
- IDK16G120C5XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥65.9242
-
交货期 40 周
|
Mouser 零件编号
726-IDK16G120C5XTMA1
|
Infineon Technologies
|
碳化硅肖特基二极管 SIC DISCRETE
|
|
交货期 40 周
|
|
|
¥65.9242
|
|
|
¥44.0926
|
|
|
¥35.482
|
|
|
¥31.5157
|
|
|
¥27.9562
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
碳化硅肖特基二极管 SIC_DISCRETE
- AIDK12S65C5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1,000:
¥25.6397
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
726-AIDK12S65C5ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
碳化硅肖特基二极管 SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 1,000
倍数： 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R030M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1,000:
¥55.8333
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
726-IMBG65R030M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 1,000
倍数： 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R039M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1,000:
¥43.5954
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
726-IMBG65R039M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 1,000
倍数： 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R083M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1,000:
¥27.459
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
726-IMBG65R083M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 1,000
倍数： 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R163M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥45.5729
-
交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
726-IMBG65R163M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
交货期 52 周
|
|
|
¥45.5729
|
|
|
¥30.3518
|
|
|
¥21.6734
|
|
|
¥19.3569
|
|
|
¥18.193
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥70.1391
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
726-IMZA65R072M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥70.1391
|
|
|
¥40.6913
|
|
|
¥37.7985
|
|
|
¥32.4197
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 模块 HybridPACK Drive G2 module : compact six-pack power module (1200V/520A) with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles
- FS520R12A8P1BHPSA1
- Infineon Technologies
-
受限供货情况
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-FS520R12A8P1BHPS
新产品
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 HybridPACK Drive G2 module : compact six-pack power module (1200V/520A) with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles
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|
IGBT 模块 HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 750 V/600 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
- FS01M3R08A7MA2BHPSA1
- Infineon Technologies
-
受限供货情况
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-FS01M3R08A7MA2BH
新产品
|
Infineon Technologies
|
IGBT 模块 HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 750 V/600 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
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