GaN 半导体

结果: 801
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS
MACOM GaN 场效应晶体管 350W, GaN HEMT, 50V, 5.2-5.9GHz, PULSED,
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

MACOM 射频放大器 80W GaN MMIC 40V 12.7 to 13.25GHz
数据表

MACOM 射频放大器 GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

MACOM 射频放大器 Amplifier MMIC,GaN HPA, 60W, 2.7-3.8 GHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1
MACOM GaN 场效应晶体管 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM GaN 场效应晶体管 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM GaN 场效应晶体管 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM GaN 场效应晶体管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM GaN 场效应晶体管 235W, GaN HEMT, 48V, 3700-4100 MHz, 248 PP
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50
MACOM GaN 场效应晶体管 235W, GaN HEMT, 48V, 3700-4100 MHz, 248 PP
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250
Monolithic Power Systems (MPS) 栅极驱动器 100V, High-Frequency, Half-Bridge GaN/MOSFET Driver
数据表

Monolithic Power Systems (MPS) 栅极驱动器 Half-Bridge GaN MOSFET Driver
数据表
Monolithic Power Systems (MPS) 栅极驱动器 100V, 1.6A, 5A, EMI-Optimized Half-Bridge GaN Driver
数据表

Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
数据表

Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
数据表

Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
数据表

Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
数据表

Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 700V, 300mohm GaN FET in TO220
数据表

Texas Instruments 栅极驱动器 600V 30mohm GaN FET with integrated driv
数据表
否
Analog Devices HMC7149-SX
Analog Devices 射频放大器 2 stage 10 W PA
数据表
产品评论

Qorvo QPD1013TR7
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-2.7 GHz, 150W, 65V GaN RF Tr
数据表