|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT190R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
¥33.4141
-
700库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT190R70ILB
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
700库存量
|
|
|
¥33.4141
|
|
|
¥21.922
|
|
|
¥16.2946
|
|
|
¥14.6448
|
|
|
¥13.6504
|
|
|
¥11.4921
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT140R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
¥41.9343
-
697库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT140R70ILB
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
697库存量
|
|
|
¥41.9343
|
|
|
¥29.945
|
|
|
¥22.4983
|
|
|
¥21.6734
|
|
|
查看
|
|
|
¥15.5488
|
|
|
¥18.3625
|
|
|
¥15.5488
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT240R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
¥31.9338
-
700库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT240R70ILB
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
700库存量
|
|
|
¥31.9338
|
|
|
¥20.8485
|
|
|
¥15.2211
|
|
|
¥13.6504
|
|
|
¥12.656
|
|
|
¥10.6672
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 SOT8074 650V 17A FET
- GAN140-650EBEZ
- Nexperia
-
1:
¥62.7828
-
2,024库存量
|
Mouser 零件编号
771-GAN140-650EBEZ
|
Nexperia
|
GaN 场效应晶体管 SOT8074 650V 17A FET
|
|
2,024库存量
|
|
|
¥62.7828
|
|
|
¥41.9343
|
|
|
¥30.849
|
|
|
¥27.5494
|
|
|
¥25.1425
|
|
|
¥18.4416
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
DFN-8080-8
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 SOT8072 100V 60A FET
- GAN3R2-100CBEAZ
- Nexperia
-
1:
¥39.5387
-
1,604库存量
|
Mouser 零件编号
771-GAN3R2-100CBEAZ
|
Nexperia
|
GaN 场效应晶体管 SOT8072 100V 60A FET
|
|
1,604库存量
|
|
|
¥39.5387
|
|
|
¥25.9674
|
|
|
¥18.3625
|
|
|
¥15.9669
|
|
|
¥14.3962
|
|
|
¥13.7295
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,500
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
WLCSP-8
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 SOT8075 650V 17A FET
- GAN140-650FBEZ
- Nexperia
-
1:
¥61.7093
-
282库存量
|
Mouser 零件编号
771-GAN140-650FBEZ
|
Nexperia
|
GaN 场效应晶体管 SOT8075 650V 17A FET
|
|
282库存量
|
|
|
¥61.7093
|
|
|
¥41.8552
|
|
|
¥37.7985
|
|
|
¥31.188
|
|
|
¥30.0241
|
|
|
¥17.2099
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
DFN-5060-5
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
- T2G6000528-Q3
- Qorvo
-
1:
¥910.6444
-
374库存量
|
Mouser 零件编号
772-T2G6000528-Q3
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
|
|
374库存量
|
|
|
¥910.6444
|
|
|
¥863.4782
|
|
|
¥654.5186
|
|
|
¥592.5042
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
NI-200
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
- CGH60008D-GP4
- MACOM
-
10:
¥257.1767
-
680库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH60008D
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
|
|
680库存量
|
|
|
¥257.1767
|
|
|
¥256.8151
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 10
倍数: 10
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-2.7 GHz, 150W, 65V GaN RF Tr
- QPD1013
- Qorvo
-
1:
¥2,252.8471
-
22库存量
-
100预期 2026/11/11
|
Mouser 零件编号
772-QPD1013
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-2.7 GHz, 150W, 65V GaN RF Tr
|
|
22库存量
100预期 2026/11/11
|
|
|
¥2,252.8471
|
|
|
¥1,945.3063
|
|
|
¥1,589.2998
|
|
|
¥1,589.2998
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
50
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
|
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
- QPD1015
- Qorvo
-
1:
¥2,897.5573
-
25库存量
|
Mouser 零件编号
772-QPD1015
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
|
|
25库存量
|
|
|
¥2,897.5573
|
|
|
¥2,676.4276
|
|
|
¥2,527.5614
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
NI-360
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V
- QPD0060
- Qorvo
-
1:
¥1,146.0008
-
17库存量
-
100预期 2026/8/18
|
Mouser 零件编号
772-QPD0060
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V
|
|
17库存量
100预期 2026/8/18
|
|
|
¥1,146.0008
|
|
|
¥1,134.5426
|
|
|
¥810.8541
|
|
|
¥810.7637
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
100
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
DFN-6
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
- EPC2057
- EPC
-
1:
¥20.5095
-
406库存量
-
12,500预期 2026/10/9
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2057
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
|
|
406库存量
12,500预期 2026/10/9
|
|
|
¥20.5095
|
|
|
¥13.1532
|
|
|
¥9.0174
|
|
|
¥7.4354
|
|
|
¥5.8195
|
|
|
查看
|
|
|
¥6.5879
|
|
|
¥5.2432
|
|
|
¥5.1754
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
LGA-4
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
- QPD1016
- Qorvo
-
1:
¥8,822.6671
-
22库存量
|
Mouser 零件编号
772-QPD1016
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
|
|
22库存量
|
|
|
¥8,822.6671
|
|
|
¥8,281.2389
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
NI780-2
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
- CGH27030P
- MACOM
-
1:
¥1,251.7123
-
58库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH27030P
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
|
|
58库存量
|
|
|
¥1,251.7123
|
|
|
¥1,179.8782
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
440196
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT105R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
¥54.1835
-
693库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT105R70ILB
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
693库存量
|
|
|
¥54.1835
|
|
|
¥42.1038
|
|
|
¥31.8434
|
|
|
¥30.7699
|
|
|
¥22.4192
|
|
|
¥18.9388
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
- CGH27030S
- MACOM
-
1:
¥816.5832
-
168库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH27030S
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
168库存量
|
|
|
¥816.5832
|
|
|
¥656.3379
|
|
|
¥594.3348
|
|
|
¥594.3348
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
250
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
- GTVA126001EC-V1-R0
- MACOM
-
1:
¥9,784.6361
-
9库存量
|
Mouser 零件编号
941-GTVA126001ECV1R0
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
|
|
9库存量
|
|
|
¥9,784.6361
|
|
|
¥9,784.6361
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
50
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
H-36248-2
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262711FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
¥1,223.9143
-
17库存量
|
Mouser 零件编号
941-GTVA262711FAV2R0
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
|
|
17库存量
|
|
|
¥1,223.9143
|
|
|
¥985.7668
|
|
|
¥985.7668
|
|
|
¥947.8101
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
50
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
H-87265J-2
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262701FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
¥1,784.1005
-
53库存量
|
Mouser 零件编号
941-GTVA262701FAV2R0
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
|
|
53库存量
|
|
|
¥1,784.1005
|
|
|
¥1,506.5386
|
|
|
¥1,506.5386
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
50
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
H-87265J-2
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
- T2G6003028-FS
- Qorvo
-
1:
¥6,880.4005
-
15库存量
|
Mouser 零件编号
772-T2G6003028-FS
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
|
|
15库存量
|
|
|
¥6,880.4005
|
|
|
¥6,721.0253
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
|
NI-200
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
- CGHV1J025D-GP4
- MACOM
-
10:
¥2,058.3063
-
20库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV1J025D
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
|
|
20库存量
|
|
|
¥2,058.3063
|
|
|
¥2,023.039
|
|
最低: 10
倍数: 10
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
- TP65H030G4PQS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
¥82.0493
-
345库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H030G4PQS-TR
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
|
|
345库存量
|
|
|
¥82.0493
|
|
|
¥55.7542
|
|
|
¥45.991
|
|
|
¥42.5106
|
|
|
¥40.7817
|
|
|
¥37.4708
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
TOLL-10
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
- TP65H030G4PRS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
¥82.6369
-
1,024库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H030G4PRS-TR
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
|
|
1,024库存量
|
|
|
¥82.6369
|
|
|
¥56.161
|
|
|
¥46.3187
|
|
|
¥42.8496
|
|
|
¥40.3636
|
|
|
¥37.7985
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,300
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
TOLT-16
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
- TP65H030G4PWS
- Renesas Electronics
-
1:
¥85.6992
-
1,283库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H030G4PWS
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
|
|
1,283库存量
|
|
|
¥85.6992
|
|
|
¥54.3417
|
|
|
¥46.895
|
|
|
¥41.2789
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¥41.1885
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报价
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倍数: 1
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GaN FETs
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GaN
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Through Hole
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TO-247-3
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N-Channel
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GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
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1:
¥82.3883
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348库存量
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新产品
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Mouser 零件编号
511-SGT070R70HTO
新产品
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STMicroelectronics
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GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
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348库存量
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¥82.3883
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¥56.50
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¥42.4315
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¥34.6571
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¥34.578
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最低: 1
倍数: 1
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1,800
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GaN FETs
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GaN
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SMD/SMT
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TO-LL-11
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