SCTH60N120G2-7

STMicroelectronics
511-SCTH60N120G2-7
SCTH60N120G2-7

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
H2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
60 A
52 mOhms
3 V
94 nC
- 55 C
+ 175 C
390 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 14 ns
封装: Reel
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

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