SCTWA70N120G2V-4

Name: STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTWA70N120G2V-4
Price: 253.42 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-SCTWA70N120G2V-4

制造商编号：

SCTWA70N120G2V-4

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

完成您的设计

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

SCTWA70N120G2V-4 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	HIP247-4
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	91 A
Rds On-漏源导通电阻:	30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.45 V
Qg-栅极电荷:	150 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 200 C
Pd-功率耗散:	547 W
通道模式:	Enhancement
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	18 ns
封装:	Tube
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	9 ns
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	36 ns
典型接通延迟时间:	15.5 ns