SCTWA70N120G2V-4

STMicroelectronics
511-SCTWA70N120G2V-4
SCTWA70N120G2V-4

制造商:

说明:
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
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库存量: 26

库存:
26 可立即发货
生产周期:
32 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于26的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HIP247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
91 A
30 mOhms
- 10 V, + 22 V
2.45 V
150 nC
- 55 C
+ 200 C
547 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 18 ns
封装: Tube
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 36 ns
典型接通延迟时间: 15.5 ns
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已选择的属性: 0

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。