IGLD65R110D2AUMA1

Name: Infineon IGLD65R110D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLD65R110D2AUMA
Price: 32.65 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IGLD65R110D2AUMA

制造商编号：

IGLD65R110D2AUMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5

寿命周期:

新产品:

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数据表:

IGLD65R110D2AUMA1 数据表 (PDF)

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¥-.--

总价:

¥-.--

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定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥36.8945	¥36.89
	¥24.6453	¥246.45
	¥18.9388	¥1,893.88
	¥16.7918	¥8,395.90
	¥15.9669	¥15,966.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥13.56	¥40,680.00
	¥13.4809	¥80,885.40

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-LSON-8
晶体管极性:	HEMT
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	20 A
Rds On-漏源导通电阻:	140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	2.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	51 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolGaN
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	20 ns
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	GaN Transistors
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	7 ns
系列:	650 V G5
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	10 ns
典型接通延迟时间:	8 ns
零件号别名:	IGLD65R110D2 SP005918714

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ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5晶体管

英飞凌CoolGaN™ 650V G5晶体管采用高效氮化镓 (GaN) 晶体管技术进行电源转换。650V G5系列可应对消费电子、数据中心、工业和太阳能应用的挑战。这些晶体管具有超快的开关能力，提高了系统效率和功率密度。CoolGaN技术提供分立和集成解决方案，旨在提高整体系统性能。英飞凌CoolGaN 650V G5晶体管可实现高工作频率并降低EMI评级。这些晶体管是配电、开关电源 (SMPS)、电信和其他工业应用的理想之选。