IMT40R011M2HXTMA1

Infineon Technologies
726-IMT40R011M2HXTMA
IMT40R011M2HXTMA1

制造商:

说明:
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
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库存量: 996

库存:
996 可立即发货
生产周期:
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥125.3961 ¥125.40
¥97.0218 ¥970.22
¥89.835 ¥8,983.50
整卷卷轴(请按2000的倍数订购)
¥78.6593 ¥157,318.60

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
400 V
144 A
16.3 mOhms
- 10 V, + 25 V
4.5 V
85 nC
- 55 C
+ 175 C
429 W
Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 9.3 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 18.3 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
技术: SiC
类型: G2 MOSFET
典型关闭延迟时间: 29.8 ns
典型接通延迟时间: 15.8 ns
零件号别名: IMT40R011M2H SP005915790
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 400V G2碳化硅MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 400V G2碳化硅MOSFET  非常适合硬开关和谐振开关拓扑结构。英飞凌400V MOSFET专为AI服务器电源单元 (PSU) 的AC/DC阶段而开发,也非常适合太阳能和储能系统等应用。CoolSiC MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺,经过优化可实现最低应用损耗和最高运行可靠性。