IMT40R011M2HXTMA1

Name: Infineon IMT40R011M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT40R011M2HXTMA
Price: 132.64 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IMT40R011M2HXTMA

制造商编号：

IMT40R011M2HXTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

数据表:

IMT40R011M2HXTMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HSOF-8
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	400 V
Id-连续漏极电流:	144 A
Rds On-漏源导通电阻:	16.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	85 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	429 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	9.3 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	18.3 ns
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
类型:	G2 MOSFET
典型关闭延迟时间:	29.8 ns
典型接通延迟时间:	15.8 ns
零件号别名:	IMT40R011M2H SP005915790

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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