BM3G005MUV-LBE2

Name: ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BM3G005MUV-LBE2
Price: 118.14 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-BM3G005MUV-LBE2

制造商编号：

BM3G005MUV-LBE2

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

GaN 场效应晶体管 PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5m, Low Side Nch

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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	¥133.4982	¥133.50
	¥103.3159	¥1,033.16
	¥94.0499	¥9,404.99
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥85.1116	¥85,111.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VQFN-46
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	68.8 A
Rds On-漏源导通电阻:	70 mOhms
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 105 C
通道模式:	Enhancement
商标名:	Nano Cap; EcoGaN
商标:	ROHM Semiconductor
下降时间:	2.7 ns
最大工作频率:	2 MHz
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	GaN HEMT Power Stage
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	5 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
技术:	Si
典型关闭延迟时间:	19 ns
典型接通延迟时间:	14 ns

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USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

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