AFGHL75T65SQDT

Name: onsemi AFGHL75T65SQDT
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL75T65SQDT
Price: 60.24 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-AFGHL75T65SQDT

制造商编号：

AFGHL75T65SQDT

制造商：

onsemi

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/75A FS4 IGBT

数据表:

AFGHL75T65SQDT 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.6 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	80 A
Pd-功率耗散:	375 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	AFGHL75T65SQDT
资格:	AEC-Q101
封装:	Tube
商标:	onsemi
集电极最大连续电流 Ic:	300 A
栅极—射极漏泄电流:	400 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors

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数据表

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PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

AFGHL75T65SQDx场终止沟槽型IGBT

安森美 (onsemi) AFGHL75T65SQDx场终止沟槽型IGBT采用场终止型第4代高速IGBT技术。安森美 (onsemi) AFGHL75T65SQDx场终止沟槽型IGBT为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供最佳性能。这些IGBT具有密集参数分布、快速开关以及低导通损耗等特性。典型应用包括功率因数校正 (PFC)、硬开关、DC-DC转换器、混合动力/电动汽车 (xEV) 车载和非车载充电器，以及工业逆变器。