FDN86265P

onsemi
512-FDN86265P
FDN86265P

制造商:

说明:
MOSFET PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SSOT-3
P-Channel
1 Channel
150 V
800 mA
1.2 Ohms
25 V
3.3 V
2.9 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 9.9 ns
正向跨导 - 最小值: 1.5 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 2.2 ns
系列: FDN86265P
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 7.9 ns
典型接通延迟时间: 5.7 ns
单位重量: 30 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
韩国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

150V P 沟道 PowerTrench® MOSFET

Fairchild 150V P沟道 PowerTrench® MOSFET 具有非常低的 RDS(on),而中压 P 沟道硅技术经过优化得到低 Qg,是负载开关应用的理想选择。该 P 沟道 MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench ®工艺制造,并针对低导通电阻进行了优化,同时保持了出色的开关性能。
了解更多

库存量: 292

库存:
292
可立即发货
在途量:
36,000
预期 2027/7/14
69,000
24,000
预期 2027/7/16
45,000
预期 2028/2/9
生产周期:
52
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1   最多: 3890
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥16.4641 ¥16.46
¥10.2604 ¥102.60
¥6.8026 ¥680.26
¥5.3901 ¥2,695.05
¥4.7912 ¥4,791.20
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥4.3731 ¥13,119.30
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩