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RoHS

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LSIC1MO 碳化硅MOSFET

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结果: 8

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Vds-漏源极击穿电压

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Vgs - 栅极-源极电压

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式
	碳化硅MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC LSIC1MO170E0750 IXYS 1: ¥76.3428 1,753库存量	制造商零件编号 LSIC1MO170E0750 Mouser 零件编号 576-LSIC1MO170E0750	IXYS	碳化硅MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC 了解更多关于IXYS littelfuse lsic1mo170e0750 的信息	数据表	1,753库存量	¥76.3428 ¥47.234 ¥47.1436 ¥44.9966	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	6.2 A	1 Ohms	- 5 V, + 20 V	4 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	60 W	Enhancement
	碳化硅MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet LSIC1MO120E0160 IXYS 1: ¥103.3159 445库存量	制造商零件编号 LSIC1MO120E0160 Mouser 零件编号 576-LSIC1MO120E0160	IXYS	碳化硅MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet 了解更多关于IXYS littelfuse sic mosfets 的信息	数据表	445库存量	¥103.3159 ¥97.1122 ¥85.0325 ¥84.9534 ¥84.2076	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	22 A	200 mOhms	- 5 V, + 20 V	1.8 V	57 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement
	碳化硅MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET LSIC1MO120E0080 IXYS 1: ¥206.9595 4库存量	制造商零件编号 LSIC1MO120E0080 Mouser 零件编号 576-LSICMO120E0080	IXYS	碳化硅MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET 了解更多关于IXYS littelfuse sic mosfets 的信息	数据表	4库存量	¥206.9595 ¥165.7597 ¥143.3518 报价报价	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	39 A	80 mOhms	- 5 V, + 20 V	2.8 V	95 nC	- 55 C	+ 150 C	179 W	Enhancement
	碳化硅MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet LSIC1MO120E0120 IXYS 无库存交货期 29 周工厂特别订单	制造商零件编号 LSIC1MO120E0120 Mouser 零件编号 576-LSIC1MO120E0120 工厂特别订单	IXYS	碳化硅MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet	数据表	无库存交货期 29 周		请求报价			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	27 A	150 mOhms	- 5 V, + 20 V	1.8 V	80 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement
	碳化硅MOSFET 1700V/750mohm SiC MOSFET TO-263-7L LSIC1MO170T0750 IXYS 1: ¥89.9141 53库存量	制造商零件编号 LSIC1MO170T0750 Mouser 零件编号 576-LSIC1MO170T0750	IXYS	碳化硅MOSFET 1700V/750mohm SiC MOSFET TO-263-7L 了解更多关于IXYS littelfuse commercial tactical uav systems 的信息	数据表	53库存量	¥89.9141 ¥52.3642 ¥52.2738 ¥51.9461 ¥48.5561	最低： 1 倍数： 1			SMD/SMT	D2PAK-7 (TO-263-7)	1 Channel	1.7 kV	6.4 A	750 mOhms	- 20 V, + 20 V	1.8 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement
	碳化硅MOSFET 1200 V, 120 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L) LSIC1MO120G0120 IXYS 无库存交货期 29 周工厂特别订单	制造商零件编号 LSIC1MO120G0120 Mouser 零件编号 576-LSIC1MO120G0120 工厂特别订单	IXYS	碳化硅MOSFET 1200 V, 120 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L)	数据表	无库存交货期 29 周		请求报价			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	27 A	150 mOhms	- 5 V, + 20 V	4 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	156 W	Enhancement
	碳化硅MOSFET 1200 V, 160 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L) LSIC1MO120G0160 IXYS 无库存交货期 29 周工厂特别订单	制造商零件编号 LSIC1MO120G0160 Mouser 零件编号 576-LSIC1MO120G0160 工厂特别订单	IXYS	碳化硅MOSFET 1200 V, 160 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L)	数据表	无库存交货期 29 周		请求报价			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	22 A	200 mOhms	- 5 V, + 20 V	4 V	50 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement
	碳化硅MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L LSIC1MO120G0040 IXYS 450: ¥185.0375 无库存交货期 29 周	制造商零件编号 LSIC1MO120G0040 Mouser 零件编号 576-LSIC1MO120G0040	IXYS	碳化硅MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L 了解更多关于IXYS lsic1mo120g0x mosfets 的信息	数据表	无库存交货期 29 周	¥185.0375	最低： 450 倍数： 450			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	70 A	50 mOhms	- 5 V, + 20 V	4 V	175 nC	- 55 C	+ 175 C	357 W	Enhancement