LSIC1MO 碳化硅MOSFET

结果: 5
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
IXYS 碳化硅MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
数据表
1,927库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.2 A 1 Ohms - 5 V, + 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
数据表
4,196库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 50A N-CH SIC
数据表
431库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 50 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 175 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement

IXYS 碳化硅MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
数据表
548库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 1700V/750mohm SiC MOSFET TO-263-7L
数据表
63库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT D2PAK-7 (TO-263-7) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.4 A 750 mOhms - 20 V, + 20 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement