ENGNTLEF2D5N10GN1TXG

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Mouser编号：

863-ENGNTLEF2D5N10GN

制造商编号：

ENGNTLEF2D5N10GN1TXG

制造商：

onsemi

说明：

GaN 场效应晶体管 ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 1.9m, 5x6 Dual Cool

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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交货限制:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	GaN 场效应晶体管
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PDSO-N8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	275 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V to 6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	11 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	378 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	GaNEXUS
技术:	GaN
商标:	onsemi
配置:	Single
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	Transistors
产品类型:	GaN FETs
系列:	NTLEF2D5N10GN1
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	Enhancement Mode HEMT

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数据表

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合规代码

ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

GaNEXUS™ GaN FET

安森美 (onsemi) GaNEXUS™氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 利用氮化镓的宽带隙材料特性，与硅材料功率晶体管相比，可实现快速开关、低栅极和输出电荷以及增强的效率。这些特性可实现更高的工作频率、更高的功率密度以及在低、中、高和超高电压电源转换应用中减少磁性元件的数量。增强模式的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT具有40V至650V的电压范围，包括集成保护功能的650V GaNEXUS智能氮化镓场效应晶体管，以提高可靠性并简化系统集成。安森美 (onsemi) GaNEXUS系列的理想应用包括工业自动化、机器人、人工智能数据中心、汽车电气化和能源基础设施。