CoolSIC 碳化硅MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
数据表
909库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 123 A 16.5 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 246 nC - 55 C + 150 C 552 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
数据表
599库存量
960预期 2026/3/2
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 89 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 137 nC - 55 C + 150 C 576 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
数据表
128库存量
480预期 2026/12/10
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 34 A 98 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 267 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
数据表
10库存量
1,440在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 48 A 64 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
数据表
4,353预期 2026/7/2
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 26 A 131 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 217 W Enhancement CoolSIC