REF_SiC_D2Pak_MC和REF_SiC_D2Pak_BP板
英飞凌科技REF_SiC_D2Pak_MC和REF_SiC_D2Pak_BP参考板支持用户评估采用D2Pak封装的1200V CoolSiC™ MOSFET(带无芯隔离栅极驱动器)。REF_SiC_D2Pak_MC板采用具有米勒钳位功能的1EDC20I12MH。REF_SiC_D2Pak_BP板采用1EDI20H12AH,具有双极电源和独立的拉电流/灌电流输出。
英飞凌科技REF_SiC_D2Pak_MC和REF_SiC_D2Pak_BP参考板支持用户评估采用D2Pak封装的1200V CoolSiC™ MOSFET(带无芯隔离栅极驱动器)。REF_SiC_D2Pak_MC板采用具有米勒钳位功能的1EDC20I12MH。REF_SiC_D2Pak_BP板采用1EDI20H12AH,具有双极电源和独立的拉电流/灌电流输出。