串行RAM器件

ISSI串行RAM器件包含8Mb/16Mb/32Mb伪静态随机存取存储器 (RAM)，使用自刷新DRAM阵列。对于8Mb、16Mb和32Mb，这些阵列的结构分别为1M字 x 8位、2M x 8位和4M x 8位。这些串行RAM器件支持串行外围接口 (SPI) 和四路外围接口 (QPI) 协议，以及较小的信号引脚数。这些器件还支持隐藏式刷新操作，以及工业温度和汽车A2级温度。ISSI串行RAM器件支持带内复位，而不必使用专门的RESET#引脚，传输的最小数据量为8bit。

结果: 6
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 存储容量
组织
访问时间
最大时钟频率
接口类型
电源电压-最大
电源电压-最小
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
ISSI IS66WVS2M8ALL-104NLI
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
数据表
746库存量
最低： 1
倍数： 1

16 Mbit 2 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI IS66WVS2M8BLL-104NLI
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
数据表
1,333库存量
最低： 1
倍数： 1

16 Mbit 2 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8


ISSI 静态随机存取存储器 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
数据表
13,339库存量
最低： 1
倍数： 1

32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI IS66WVS1M8ALL-104NLI
ISSI 静态随机存取存储器 8Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
数据表
93库存量
100预期 2026/6/10
最低： 1
倍数： 1

8 Mbit 1 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI IS66WVS4M8ALL-104NLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
数据表
363库存量
最低： 1
倍数： 1

32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8


ISSI 静态随机存取存储器 8Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
数据表
4,800预期 2026/7/15
最低： 1
倍数： 1

8 Mbit 1 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8