MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 存储容量 接口类型 最大时钟频率 组织 封装 / 箱体 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 资格 封装

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) T&R (125C) 无库存交货期 22 周
最低: 500
倍数: 500
卷轴: 500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - DFN8 T&R (AECQ100 125C) 无库存交货期 22 周
最低: 1,500
倍数: 1,500
卷轴: 1,500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) tube (125C) 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Tube

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7 1.95V - DFN8 T&R (125?)

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel