低功耗HyperRAM®

Winbond低功耗HyperRAM®是具有高速SDRAM器件的移动DRAM,内部配置为8组内存,并在命令/地址 (CA) 总线上使用双倍数据速率 (DDR) 架构。此HyperRAM具有引脚数少、功耗低、易于控制的特性,可提高终端设备的性能。新的物联网边缘设备和人机接口设备要求在尺寸、功耗和性能方面有新的功能。这些HyperRAM内存器件提供新的技术解决方案,可应对新的物联网边缘设备和人机接口设备的快速发展。这些HyperRAM在1.8V混合睡眠模式下提供45mW功率,与SDRAM的待机模式有明显区别。HyperRAM支持HyperBus接口,是应对汽车电子、工业4.0及智能家居应用快速发展的解决方案。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 封装
Winbond 动态随机存取存储器 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 3.0V 440库存量
480在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Winbond 动态随机存取存储器 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R 2,000库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 2,000

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 16 M x 8 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape