S29CD016J闪存NOR内存

Cypress S29CD016J闪存NOR内存器件是采用110nm工艺技术制造的单精度浮点型产品。 S29CD016J闪存能够在两个独立存储区上执行具有零延迟的同时读写操作。 S29CD016J闪存NOR内存工作频率高达75MHz (32Mb) 或 66MHz (16Mb),采用2.5VCC至2.75VCC的单器件供电。 闪存NOR器件可用于双引导扇区配置,支持通用闪存接口(CFI),数据保留20年。 S29CDxJ 突发闪存器件非常适合用于要求严格的汽车应用。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 系列 存储容量 电源电压-最小 电源电压-最大 有源读取电流(最大值) 接口类型 最大时钟频率 组织 数据总线宽度 定时类型 最小工作温度 最大工作温度 资格 封装
Infineon Technologies NOR闪存 PNOR 无库存交货期 16 周
最低: 660
倍数: 660

SMD/SMT PQFP-80 S29CL016J 16 Mbit 2.5 V 2.75 V 90 mA Parallel 66 MHz 512 k x 32 32 bit Asynchronous, Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL064S80BHB040
Infineon Technologies NOR闪存 Nor 无库存交货期 10 周
最低: 3,380
倍数: 3,380

SMD/SMT BGA-48 S29GL064S 64 Mbit 2.7 V 3.6 V 50 mA Parallel 8 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL128S90FHA023
Infineon Technologies NOR闪存 Nor 无库存交货期 10 周
最低: 1,600
倍数: 1,600
卷轴: 1,600

SMD/SMT BGA-64 S29GL128S 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 8 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel