Low Latency DRAMs

GSI Technology Low Latency DRAMs are ideal for advanced data networking applications with a low random cycle time and eight-bank memory array architecture. GSI Technology Low Latency DRAMs have double data rate transfers for performance unmatched by commodity DRAM. An SRAM-like address interface makes Low Latency DRAMs easier to use while allowing the devices to maintain near-100% bus utilization for networking tasks.

结果: 8
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数量 RoHS ECAD模型 类型
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数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
GSI Technology 动态随机存取存储器 LL动态随机存取存储器 II, 288Mb, x36, 533MHz, Commercial Temp
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology 动态随机存取存储器 LL动态随机存取存储器 II, 288Mb, x36, 533MHz, Industrial Temp
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology 动态随机存取存储器 LL动态随机存取存储器 II, 288Mb, x36, 400MHz, Commercial Temp
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology 动态随机存取存储器 8M x 36 (288Meg) LL动态随机存取存储器 II Common I/O
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL Tray
GSI Technology 动态随机存取存储器 LL动态随机存取存储器 II, 288Mb, x36, 400MHz, Commercial Temp
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology 动态随机存取存储器 8M x 36 (288Meg) LL动态随机存取存储器 II Common I/O
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL Tray
GSI Technology 动态随机存取存储器 LL动态随机存取存储器 II, 288Mb, x36, 300MHz, Commercial Temp
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology 动态随机存取存储器 LL动态随机存取存储器 II, 288Mb, x36, 300MHz, Industrial Temp
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL