DDR SDRAM

Micron DDR SDRAM是一项革命性和开创性技术,支持应用在时钟信号的上升沿和下降沿传输数据。这样,与SDR SDRAM相比,带宽提高了一倍,性能也得到改善。为实现此功能,Micron使用2n预取架构,其内部数据总线大小是外部数据总线的两倍,因此每个时钟周期可进行两次数据捕获。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Micron 动态随机存取存储器 DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 CT 3,268库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron 动态随机存取存储器 DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 IT 无库存交货期 53 周

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Tray