Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

结果: 41
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 封装 / 箱体 接口类型 存储容量 组织 数据总线宽度 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 工作电源电流 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 611库存量
最低: 1
倍数: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1,217库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 587库存量
最低: 1
倍数: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI 171库存量
最低: 1
倍数: 1

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 316库存量
最低: 1
倍数: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1,038库存量
最低: 1
倍数: 1

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 403库存量
最低: 1
倍数: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI 1,141库存量
最低: 1
倍数: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 470库存量
最低: 1
倍数: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1,043库存量
最低: 1
倍数: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 279库存量
最低: 1
倍数: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 471库存量
最低: 1
倍数: 1

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 435库存量
最低: 1
倍数: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 282库存量
最低: 1
倍数: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 302库存量
最低: 1
倍数: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 261库存量
最低: 1
倍数: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI 1,593库存量
最低: 1
倍数: 1

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 210库存量
540预期 2026/4/21
最低: 1
倍数: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 6库存量
1,350预期 2026/4/15
最低: 1
倍数: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 95库存量
最低: 1
倍数: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 249库存量
最低: 1
倍数: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 396库存量
270预期 2026/4/8
最低: 1
倍数: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 218库存量
最低: 1
倍数: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
736预期 2026/4/15
最低: 1
倍数: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
978预期 2026/4/15
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel