MR1A16A 2Mb 16-bit I/O Parallel Interface MRAM

Everspin Technologies MR1A16A 2Mb 16-bit I/O Parallel Interface Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) modules are 2,097,152-bit devices organized as 131,072 words of 16 bits. The MR1A16A series offers SRAM-compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. Data is automatically protected and is always nonvolatile for >20 years. These MRAM devices are available in two package types: a small footprint 48-pin ball grid array (BGA) and a 44-pin thin small outline (TSOP Type 2). These packages are compatible with similar low-power SRAM products and nonvolatile RAM products. Everspin Technologies MR1A16A MRAM operates in various temperatures and provides highly reliable data storage. The series offers an ideal memory solution for applications that permanently store and quickly retrieve critical data and programs.

结果: 14
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 封装 / 箱体 接口类型 存储容量 组织 数据总线宽度 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 工作电源电流 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 无库存交货期 27 周
最低: 696
倍数: 348

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 无库存交货期 27 周
最低: 2,000
倍数: 2,000
卷轴: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 无库存交货期 27 周
最低: 270
倍数: 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 无库存交货期 27 周
最低: 1,500
倍数: 1,500
卷轴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 无库存交货期 27 周
最低: 696
倍数: 348

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 无库存交货期 27 周
最低: 2,000
倍数: 2,000
卷轴: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 无库存交货期 27 周
最低: 270
倍数: 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 无库存交货期 27 周
最低: 1,500
倍数: 1,500
卷轴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 无库存交货期 27 周
最低: 696
倍数: 348

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 无库存交货期 27 周
最低: 2,000
倍数: 2,000
卷轴: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 无库存交货期 27 周
最低: 270
倍数: 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 无库存交货期 27 周
最低: 1,500
倍数: 1,500
卷轴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 无库存交货期 27 周
最低: 270
倍数: 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 无库存交货期 27 周
最低: 1,500
倍数: 1,500
卷轴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Reel