DDR SDRAM

Micron DDR SDRAM是一项革命性和开创性技术，支持应用在时钟信号的上升沿和下降沿传输数据。这样，与SDR SDRAM相比，带宽提高了一倍，性能也得到改善。为实现此功能，Micron使用2n预取架构，其内部数据总线大小是外部数据总线的两倍，因此每个时钟周期可进行两次数据捕获。

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Micron 动态随机存取存储器 DDR 512Mbit 16 60/108 FBGA 1 IT
数据表
产品评论
4,982库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 4,104

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Tray
Micron 动态随机存取存储器 DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 IT
数据表
产品评论
7,032库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 6,480

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Tray
Micron 动态随机存取存储器 DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 CT
数据表
产品评论
5,925库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 5,400

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron 动态随机存取存储器 DDR 512M 32MX16 TSOP
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532库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 532
卷轴: 2,000

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron 动态随机存取存储器 DDR 512Mbit 8 66/66TSOP 1 CT
数据表
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720库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 720

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-66 64 M x 8 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron 动态随机存取存储器 DDR 256M 16MX16 FBGA
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6库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 6
卷轴: 1,000

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Reel, Cut Tape, MouseReel