ISSI NAND闪存

结果: 83
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
系列
存储容量
接口类型
组织
定时类型
数据总线宽度
电源电压-最小
电源电压-最大
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
封装
ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT
数据表
27库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 8 bit 2.7 V 3.6 V 50 uA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND闪存 SLC NAND, 8Gb (x8, 8bit ECC) 3V,63-ball VFBGA 9x11x1.0mm
数据表
2,060库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

SMD/SMT IS34ML04G088 8 Gbit SPI VFBGA-63 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI NAND闪存 1G 3.3V x8 NAND闪存 Q100
数据表
1,463库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI NAND闪存 1G 3.3V 104MHz Serial NAND闪存
数据表
28库存量
4,320在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 4G 1.8V x8 4-bit NAND闪存
数据表
68库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34MW04G084 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C Bulk
ISSI NAND闪存 2Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 1.8V, RoHS, IT
数据表
169库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW02G084 2 Gbit Parallel 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT,AutoGrade
数据表
203库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel 256 M x 16 Asynchronous 16 bit 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI NAND闪存 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT
数据表
181库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel 512 M x 8/256 M x 16 Asynchronous 8 bit, 16 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 2G 3.3V x8 1-bit NAND闪存 I-Temp
数据表
1,500预期 2027/5/14
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML02G081 2 Gbit Parallel 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 155库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 120库存量
480在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND闪存 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, Tray
数据表
108库存量
176在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT SOIC-16 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND闪存 2G 1.8V x8 4-bit NAND闪存
数据表
242库存量
96在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34MW02G084 2 Gbit Parallel 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 1-bit NAND闪存
数据表
18库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 1-bit NAND闪存
数据表
227库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 4-bit NAND闪存
数据表
10库存量
220预期 2027/5/5
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G084 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 4-bit NAND闪存
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML01G084 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 2G 3V x8 4-bit NAND闪存
数据表
59库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML02G084 2 Gbit Parallel 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 4G 3V x8 1-bit NAND闪存
数据表
54库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML04G081 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 4G 3V x8 4-bit NAND闪存
数据表
99库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML04G084 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Bulk
ISSI NAND闪存 1 Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 1.8V, RoHS, IT
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND闪存 1G 1.8V x16 4-bit NAND闪存
数据表
434在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 64 M x 16 Asynchronous 16 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480预期 2027/4/22
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
数据表
480预期 2027/4/22
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
数据表
480预期 2027/4/22
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C