ISSI NAND闪存

结果: 83
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 系列 存储容量 接口类型 组织 定时类型 数据总线宽度 电源电压-最小 电源电压-最大 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 封装

ISSI NAND闪存 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 105 C
ISSI NAND闪存 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 105 C

ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C
ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C

ISSI NAND闪存 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C
ISSI NAND闪存 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C

ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 45 C + 105 C
ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 45 C + 105 C