Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Intelligent Memory Dynamic Random Access Memory (DRAM) includes a full range of JEDEC-compliant DRAMs and ECC DRAMs (SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4, LPDDR4). From an application's point of view, these components work like a monolithic device. The DRAM devices allow for maximum levels of memory density without altering existing board layouts or designs.

结果: 4
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 产品
存储容量
存储类型
速度
工作电源电压
最大工作温度
管脚数量
Intelligent Memory 存储器模块 存储器模块, DDR3, DIMM, 16GB, x72, 240pin UDIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

UDIMMs 16 GB DDR3L 1600 MT/s 1.283 V to 1.45 V + 95 C 240 Pin
Intelligent Memory 存储器模块 存储器模块, DDR3, DIMM, 16GB, x64, 240pin UDIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, Non-ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 4
倍数： 4

UDIMMs 16 GB DDR3L 1600 MT/s 1.283 V to 1.45 V + 95 C 240 Pin
Intelligent Memory 存储器模块 存储器模块, DDR3, SODIMM, 16GB, x64, 204pin SODIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, Non-ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 4
倍数： 4

SODIMMs 16 GB DDR3L 1600 MT/s 1.283 V to 1.45 V + 95 C 240 Pin
Intelligent Memory 存储器模块 存储器模块, DDR3, SODIMM, 16GB, x72, 204pin SODIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 1
倍数： 1

SODIMMs 16 GB DDR3L 1600 MT/s 1.283 V to 1.45 V + 95 C 240 Pin