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onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
12/26/2025
该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
12/19/2025
专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
11/25/2025
采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
11/20/2025
具备低RDS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
11/20/2025
具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻，并通过AEC-Q101认证。
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
专为低电压应用设计的高性能MOSFET，可实现高效的电源切换。
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
一款高效的单N沟道功率MOSFET，专为高要求电源管理应用而设计。
onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
10/14/2025
封装占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。
onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
10/14/2025
该器件具有低RDS(on) 和低栅极阈值特性，采用可湿性侧翼封装。
onsemi T10低/中压MOSFET
onsemi T10低/中压MOSFET
10/06/2025
40V和80V单通道N沟道MOSFET，具备更优性能与更高系统效率。 
onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
09/08/2025
优化用于高效开关应用的强大20V、890mA N沟道功率MOSFET。
onsemi NxJS3151P单P沟道功率MOSFET
onsemi NxJS3151P单P沟道功率MOSFET
09/04/2025
非常适合用于功率密度和可靠性至关重要的空间受限设计。
onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
06/23/2025
该产品可在紧凑型5mmx6mm PowerFLAT封装中提供出色的热性能和低RDS(on)。
onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
06/09/2025
采用节省空间的DFN-8封装，具有低RDS(on) 值和快速开关特性。 
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET
05/13/2025
设计用于处理大电流，这对于直流-直流电源转换级至关重要。
onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET
onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET
04/28/2025
具有低RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的3.3mm x 3.3mm小型封装。
onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET
onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET
04/28/2025
具有低QRR 、RDS(on) 和QG，可最大限度降低驱动器损耗和导通损耗。
onsemi NVTFWS003N04XM MOSFET
onsemi NVTFWS003N04XM MOSFET
04/28/2025
低RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的µ8FL 3.3mmx3.3mm小型封装。
onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET
onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET
04/17/2025
40V、154A、单N沟道、STD栅极MOSFET，采用SO8FL封装。
onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET
onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET
04/17/2025
具有低RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的3.3mm x 3.3mm小尺寸封装。
onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET
onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET
04/17/2025
具有低RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的SO-8FL 5mmx6mm小尺寸封装。
onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET
onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET
04/17/2025
40V、469A、单N沟道、STD栅极MOSFET，采用SO8FL封装。
onsemi 机器视觉
onsemi 机器视觉
03/18/2025
各种图像传感器解决方案，从VGA到45MP，满足机器视觉需求。
onsemi NTTFD1D8N02P1E N 通道 MOSFET
onsemi NTTFD1D8N02P1E N 通道 MOSFET
03/05/2025
非对称双器件，具有3.3mm x 3.3mm小尺寸，设计紧凑。
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    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    12/26/2025
    该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    12/23/2025
    凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    12/19/2025
    专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    11/25/2025
    采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
    11/20/2025
    具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻，并通过AEC-Q101认证。
    onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
    onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
    11/20/2025
    具备低RDS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。
    onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
    11/19/2025
    专为低电压应用设计的高性能MOSFET，可实现高效的电源切换。
    onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
    11/19/2025
    一款高效的单N沟道功率MOSFET，专为高要求电源管理应用而设计。
    Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
    Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
    10/31/2025
    具有快速开关性能和低栅极电荷特性，最大漏源电压为60V。
    Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
    Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
    10/31/2025
    将两个MOSFET集成到单个PowerDI® 5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。
    Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
    Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
    10/21/2025
    具有卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    Toshiba TPH2R70AR5 N沟道MOSFET
    Toshiba TPH2R70AR5 N沟道MOSFET
    10/17/2025
    该器件适用于高功效的直流-直流转换器，采用SOP Advance (N)封装。
    ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
    ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
    10/16/2025
    AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。
    onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
    10/14/2025
    该器件具有低RDS(on) 和低栅极阈值特性，采用可湿性侧翼封装。
    onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
    onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
    10/14/2025
    封装占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。
    IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET
    IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET
    10/08/2025
    基于陶瓷的隔离封装提高了整体Rth(j-s) 和功率处理能力。
    onsemi T10低/中压MOSFET
    onsemi T10低/中压MOSFET
    10/06/2025
    40V和80V单通道N沟道MOSFET，具备更优性能与更高系统效率。 
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7优化40V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7优化40V功率MOSFET
    10/02/2025
    为驱动器、电源和园艺工具中的高效电源转换提供定制解决方案。
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET
    09/30/2025
    高性能N沟道晶体管专为要求苛刻的电源转换应用而设计。
    Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
    Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
    09/29/2025
    采用沟槽9技术，符合AEC-Q101要求。
    Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
    Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
    09/09/2025
    逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
    onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
    onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
    09/08/2025
    优化用于高效开关应用的强大20V、890mA N沟道功率MOSFET。
    查看：322 的 1 - 25