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Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
09/29/2025
采用沟槽9技术，符合AEC-Q101要求。
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
P沟道FET搭载Trench MOSFET技术，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装。 
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
MLPAK33（SOT8002-3）SMD塑料封装中的P沟道 FET采用沟槽MOSFET技术。
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
08/26/2025
CFP15B封装为采用DPAK封装中的MJD系列提供了紧凑并且经济高效的替代方案。
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
30V、P沟道FET采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，使用了沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
07/03/2025
常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。
Nexperia ES3D超快恢复整流器
Nexperia ES3D超快恢复整流器
05/07/2025
具有高正向浪涌能力的200V、3A整流器，采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia ES1D超快恢复整流器
Nexperia ES1D超快恢复整流器
05/07/2025
200V、1A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia ES2D超快恢复整流器
Nexperia ES2D超快恢复整流器
05/07/2025
200V、2A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia ES1J超快恢复整流器
Nexperia ES1J超快恢复整流器
05/02/2025
具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia ES1B超高速恢复整流器
Nexperia ES1B超高速恢复整流器
05/02/2025
具有高正向浪涌能力的100V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia US1J超快恢复整流器
Nexperia US1J超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的600V、1A 整流器。该器件采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia FR2JA快速恢复整流器
Nexperia FR2JA快速恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的600V、2A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia US3M超快恢复整流器
Nexperia US3M超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的1000V、3A整流器。该器件采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia MURS160B超快恢复整流器
Nexperia MURS160B超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器。该器件采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia FR2M快速恢复整流器
Nexperia FR2M快速恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、2A整流器，采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia GS10M恢复整流器
Nexperia GS10M恢复整流器
04/28/2025
1000V、10A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia MURS160A超快恢复整流器
Nexperia MURS160A超快恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia US1M超快恢复整流器
Nexperia US1M超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的1000V、1A整流器。该器件采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia GS1M恢复整流器
Nexperia GS1M恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia GS5MB恢复整流器
Nexperia GS5MB恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、5A整流器，采用SOD1002-1 SMB封装。
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    EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    03/05/2026
    Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
    EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    03/05/2026
    Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
    Littelfuse Sx4340L TVS二极管阵列
    Littelfuse Sx4340L TVS二极管阵列
    03/05/2026
    产品采用节省空间的SOD882封装，电容低至0.55pF。
    EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    03/05/2026
    Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET
    03/05/2026
    80V N沟道标准电平设备，热阻优异，PG‑TDSON‑8封装。
    Diotec Semiconductor BAT54WT Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAT54WT Schottky Diode
    03/03/2026
    Designed for high-speed switching, low junction capacitance, and low leakage current.
    Diotec Semiconductor SB1100 Schottky Diode
    Diotec Semiconductor SB1100 Schottky Diode
    03/03/2026
    Offer low voltage forward drop making it suitable for output rectification and polarity protection.
    Diotec Semiconductor SL1MR13 Standard Recovery Rectifier
    Diotec Semiconductor SL1MR13 Standard Recovery Rectifier
    03/03/2026
    Features 1000V repetitive peak reverse voltage and 1A maximum average forward rectified current.
    Diotec Semiconductor GBI40M-T Single Phase Bridge Rectifier
    Diotec Semiconductor GBI40M-T Single Phase Bridge Rectifier
    03/03/2026
    Equipped with four diodes in a bridge configuration and protected against reverse assembly.
    Vishay 3KDFN12CA至3KDFN100CA TVS二极管
    Vishay 3KDFN12CA至3KDFN100CA TVS二极管
    03/02/2026
    Transzorb® TVS二极管，旨在保护敏感电子设备免受电压尖峰的影响。
    Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    02/26/2026
    Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
    Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    02/26/2026
    Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
    Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
    Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
    02/26/2026
    Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
    Littelfuse SC3402-02ETG ESD保护二极管
    Littelfuse SC3402-02ETG ESD保护二极管
    02/23/2026
    超低电容ESD保护二极管，旨在保护高速数据接口。
    Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
    Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
    02/19/2026
    Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.
    Semtech TDS5311P SurgeSwitch™单线53V EOS保护IC
    Semtech TDS5311P SurgeSwitch™单线53V EOS保护IC
    02/18/2026
    与标准TVS设备相比，该设备具有更高的能量EOS保护能力，温度和钳位特性更优。
    Vishay SE45124/SE50124 SMD高压整流器
    Vishay SE45124/SE50124 SMD高压整流器
    02/17/2026
    此系列设备具有出色的散热性能和高浪涌电流能力。
    Vishay KBPE0480单相直列桥式整流器
    Vishay KBPE0480单相直列桥式整流器
    02/16/2026
    此系列设备具有低正向压降，采用KBP封装。
    Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD整流器
    Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD整流器
    02/10/2026
    这些设备采用高度仅为0.88mm的薄型封装。
    Littelfuse CMA160E1600HF单晶闸管
    Littelfuse CMA160E1600HF单晶闸管
    02/06/2026
    高性能160A、1600V器件，在PLUS247封装内采用平面被动芯片结构。
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET模块
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET模块
    02/05/2026
    高效低损耗的功率设备，旨在取代传统的二极管。
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02/03/2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Designed for demanding power conversion applications
    Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
    Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
    02/03/2026
    可在要求苛刻的电力电子设备应用中提供卓越的效率、坚固性和可靠性。
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