WBSC引线接合式垂直硅电容器

Murata WBSC引线接合式垂直硅电容器非常适合用于直流去耦，专门用于需要在高达150°C温度下保持高可靠性的应用。这些硅电容器设计采用半导体工艺，该工艺能够集成1.55nF/mm2至250nF/mm2的高电容密度（击穿电压分别为450V至11V）。在生产过程中，该款高可靠性电容器在高温（900°C以上）下固化，生成高纯度的氧化物。该技术提供业界领先的性能，可在高达150°C温度下保持电容器稳定性（温度系数等于+60ppm/K）。另外，硅的固有特性表明其具有较低的电介质吸收能力和低至零的压电效应，因此不会产生记忆效应。Murata WBSC引线接合式垂直硅电容器还符合RoHS指令。