缓冲绕线薄膜电容器
EPCOS/TDK缓冲绕线薄膜电容器符合AEC-Q200D标准，电容范围为0.1µF至3.3µF，额定电压为800VAC，容差高达10%。这些电容器具有高脉冲强度、高接触可靠性、低电感以及镀锡铜或黄铜带端子。缓冲绕线薄膜电容器采用UL 94V-0等级塑料外壳，采用绕线电容器技术，内部串联连接。EPCOS/TDK缓冲绕线薄膜电容器非常适合用于IGBT和缓冲应用。
EPCOS/TDK缓冲绕线薄膜电容器符合AEC-Q200D标准，电容范围为0.1µF至3.3µF，额定电压为800VAC，容差高达10%。这些电容器具有高脉冲强度、高接触可靠性、低电感以及镀锡铜或黄铜带端子。缓冲绕线薄膜电容器采用UL 94V-0等级塑料外壳，采用绕线电容器技术，内部串联连接。EPCOS/TDK缓冲绕线薄膜电容器非常适合用于IGBT和缓冲应用。