RASMID硅射频电容器

ROHM Semiconductor RASMID硅射频电容器具有高可靠性、180μm薄型设计和3.6V额定电压。这些硅电容器通过大电极尺寸实现高剪切强度。RASMID硅射频电容器具有高达1000pF典型电容、±10μm尺寸容差以及±8kV(HBM) ESD保护等级。这些电容器的工作温度范围为- 55°C至150°C，电容容差为-15%至15%，反向击穿电压为8.2V至9.2V。RASMID硅射频电容器采用0.4mm x 0.2mm封装，非常适合用于无线、可穿戴设备和光学收发器。